https://www.jma.go.jp/jma/kishou/know/tenki_chuui/tenki_chuui_p9.html

この貴重な情報共有が、自然災害の脅威から身を守り、世の安穏に貢献できましたら幸いでございます。

投稿 急な大雨や雷・竜巻から身を守るために は UniPo株式会社 に最初に表示されました。

https://www.env.go.jp/guide/envmonth/

この情報には「環境問題は、一人で考えても解決できません。まずは現状を知り、解決策を考え、行動につなげる。自分にできることが何か、考えてみませんか。」と書かれています。連携イベント情報の紹介もあり、より身近に学ぶ方法を知り得ます。

この貴重な情報共有が、未来環境保護促進の一助になりましたら幸いでございます。UniPo㈱も人類と自然の調和発展、世の安穏の為に より一層尽力して参ります。

投稿 ６月５日は 環境の日 です は UniPo株式会社 に最初に表示されました。

https://www.env.go.jp/content/000129182.pdf

この貴重な情報からも解るように、環境破壊に対して 倭国、世界は、真剣に対応していこうと行動しています。UniPo㈱も、人類と未来環境により良い産業発展実現の為に、科学的根拠に基づいた “人に環境に優しい商品” を 社会に繋ぐ架け橋となる為、より一層尽力して参ります。

人類と自然の調和発展、世の安穏の為に 共に前進できましたら幸いでございます。

投稿 G7気候・エネルギー・環境大臣会合 結果概要 は UniPo株式会社 に最初に表示されました。

https://www.wbgt.env.go.jp/

ここには「今まで普段心掛けていただいている熱中症予防行動と同様の対応では不十分な可能性がありますので、今一度気を引き締めていただいた上で、準備や対応が必要です。」と記載されております。気候変動への対策を十分に行い、共に困難を超えていきましょう。

投稿 熱中症予防情報 は UniPo株式会社 に最初に表示されました。

エッチングにおけるフッ化メチルの選択性に影響を与える可能性のある要因にはどのようなものがありますか?

表面化学:
エッチングされる材料の表面化学は、CH3F の選択性に影響を与える可能性があります。たとえば、Si-H や Si-OH などの表面基の存在により、SiO2 に対する選択性が低下する可能性があります。

エッチングパラメータ:
ガス流量、圧力、電力などのエッチング パラメータは CH3F の選択性に影響を与える可能性があり、これらのパラメータを調整すると、エッチング プロセスの選択性を最適化できます。

マスキング：
フォトレジストやハードマスクなどのマスクを使用すると、マスキングプロセスを最適化することで、エッチングされていない材料を保護することができます。

CH3F の選択性は、前のエッチングまたはクリーニング プロセスでエッチング チャンバ内に残った残留ガスの影響を受ける可能性があります。適切なチャンバ クリーニングは、CH3F の選択性を向上させるのに役立ちます。

全体として、エッチングにおける CH3F の選択性はさまざまな要因によって影響を受ける可能性があり、エッチング プロセスと装置を最適化することで、二酸化シリコンやその他の材料に対する CH3F の選択性を達成することができ、半導体業界で貴重なツールとなります。高品質の構造とデバイスを作成します。

ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー

•  高純度CH3F / Cas No. 593-53-3 HFC-41 高純度フルオロメタン

投稿 フッ化メチル (CH3F) の紹介 は UniPo株式会社 に最初に表示されました。

詳しくは以下ＵＲＬをご覧下さいませ。著作権侵害にあたる場合は、御連絡をお願い致します。

https://www.meti.go.jp/policy/it_policy/air_conditioner/maintenance.html

気候変動への対策促進の一助となりましたら幸いでございます。

投稿 熱中症対策 は UniPo株式会社 に最初に表示されました。

ヘキサフルオロブタジエン  はフッ素化炭化水素化合物で、半導体産業、特にエッチングの分野で多くの用途があります。 半導体エッチングにおけるヘキサフルオロブタジエンの主な用途のいくつかを以下に示します。

• 反応性イオン エッチング (RIE): ヘキサフルオロブタジエンは、プラズマを使用して基板から材料を除去するドライ エッチング プロセスである RIE のフィード ガスとしてよく使用されます。 C4F6 は反応性が高く、毒性が低いため、このプロセスの理想的な候補となります。
• ディープ反応性イオン エッチング (DRIE): DRIE では、C4F6 がパッシベーション ガスとして使用され、エッチングされたフィーチャの側壁がさらにエッチングされるのを防ぎます。 これは、正確な寸法で高アスペクト比の構造を作成するのに役立ちます。
• プラズマ化学蒸着 (PECVD): C4F6 は、プラズマを使用して基板上に材料の薄膜を堆積するプロセスである PECVD の前駆体として使用できます。 PECVD で C4F6 を使用すると、良好なコンフォーマル性を備えた高品質のフッ素化膜を堆積できます。
• チャンバーのクリーニング: C4F6 は、エッチング装置のチャンバーのクリーニングにも使用できます。 反応性が高く、毒性が低いため、効果的で安全な洗浄剤です。

全体として、ヘキサフルオロブタジエンは、半導体産業、特にエッチングの分野で多くの重要な用途を持つ多用途の化合物です。 そのユニークな特性により、多くのエッチングプロセスで重要なコンポーネントとなり、高品質の構造やデバイスの作成に役立ちます。

•  高純度C4F6 / Cas No. 692-50-2 高純度1,1,1,4,4,4-ヘキサフルオロ-2-ブチン

投稿 ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンの紹介 は UniPo株式会社 に最初に表示されました。

ゴールデンウィークにつきまして、弊社は カレンダー通りの日程で 休業とさせて頂きます。

尚、中国におきましては、労働節という祝日により、5月1日(水) から 5月5日(日) 迄、休暇期間となります。よって LED関連商品 の お問合せと 中国からの出荷に関しましては、5月6日(月)より 順次対応させて頂きます。

※インターネットからのご注文は 通常通りご利用頂けます。
(即日発送可能の記載がある商品につきましても、上記休業期間明けの発送となります。あらかじめご了承下さい。)

休業期間中のご注文につきましては、2024年5月7日(火)より順次対応させて頂きますので、しばらくお待ち下さいませ。
商品の在庫確認、発送等に関しましては、各メーカーの都合により、通常よりお時間を頂戴する場合がございます。詳細につきましては、確認メールにて ご連絡差し上げます。

休業明けはご注文、お問い合わせ等が 集中することが予想されますので、対応させて頂くまでに多少お時間がかかる場合もございます。
ご迷惑をお掛け致しますが、何卒ご了承下さいますよう お願い申し上げます。

投稿 ゴールデンウィーク休業のお知らせ は UniPo株式会社 に最初に表示されました。

以下に主なものを紹介します：

1. C4F6 (ヘキサフルオロブタジエン):
   • 別名 Octafluorobutadiene とも呼ばれます。
   • 高いエッチング選択性と優れた安定性を持つ新型のフッ素系電子特殊ガスです。
   • 微細なパターンの形成において、高い効率性を提供することが期待されています。
2. HFO-1234yf(E):
   • 別名 2,3,3,3-Tetrafluoropropene とも呼ばれます。
   • 環境にやさしい代替品として注目されています。
   • 半導体製造プロセスでのエッチングや洗浄に使用されます。
3. HFO-1336mzz(E):
   • 別名 Trans-1,2,3,3,3-Pentafluoropropene とも呼ばれます。
   • 高いエッチング選択性を持ち、シリコン酸化物のエッチングに適しています。
4. HFO-1225ye(Z):
   • 別名 1,2,3,3,3-Tetrafluoropropene とも呼ばれます。
   • 環境にやさしい代替品として注目されています。
   • 半導体製造プロセスでのエッチングや洗浄に使用されます。
   • 既存ガスと比較して高いエッチングレートと良好な形状指標を得ることができ.
5. CF3I (三ヨウ化メチルフルオロ):
   • ハロゲン化メチルフルオロの一種で、ヨウ素とフッ素を含みます。
   • シリコンエッチングに使用され、高いエッチング速度を持ちます。
6. CH3F (メタンフルオロ):
   • 別名 Fluoromethane とも呼ばれます。
   • 有機材料のエッチングに用いられ、有機薄膜のパターニングなどにおいて高い選択性が求められる場面で利用されます。

投稿 新たなフッ素系エッチングガス-2 は UniPo株式会社 に最初に表示されました。

以下は、伝統的なフッ素を含む主なエッチングガスの一部です：

• CF4 (四フッ化炭素): シリコンや多結晶シリコン、酸化シリコン、窒化シリコンなどのシリコン系化合物をエッチングする際に使用されます。
• C2F6 (六フッ化エチレン): 同様にシリコン系材料のエッチングに適しています。
• NF3 (三フッ化窒素): 主に半導体製造プロセスで使用され、クリーニングとエッチングガスとして優れた性能を発揮します.特に、シリコン表面のクリーニングに適しています。
• SF6 (六フッ化硫黄): シリコンや酸化シリコンのエッチングに適しています。

これらのガスは、プラズマ中で反応し、被エッチング物質の表面を選択的にエッチングするプロセスに影響を与えます。特定のプロセスや材料に適したガスを選択することが重要です。

投稿 新たなフッ素系エッチングガス-1 は UniPo株式会社 に最初に表示されました。